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防反接保护电路的应用方案(下)

发布日期:2024-02-17 18:00:16浏览量:106

承接上篇,我们知道了什么时候防反接保护,和一些防反接电路保护方案,接下来我们再列举两种供大家理解和参考。

防反接保护电路的应用方案(下)_https://www.lutefuse.com_技术中心_第1张

二极管+热敏电阻+保险丝防反接保护是利用NTC阻值较小且二极管压降较小的特点,在输入反接时,瞬间的电流使得NTC温度升高,阻值减小,流过NTC和二极管的电流变得很大,将前面串联的保险丝熔断,达到保护后级电路的效果。这种保护电路结构简单,元器件较少,效果明显。然而,它也存在一些不足之处,如在上电一瞬间,如果保险丝熔断速度较慢,仍有一个较小的上升脉冲;二极管的耐流值应留有足够的裕量,避免二极管损坏;当负载阻抗较小或者工作电压较小时,无法起到有效的保护作用,还是有可能反接烧毁;存在两个二极管的压降,可能对供电电压有严格要求。

 

NMOS防反接保护电路利用NMOS管的开关特性,在输入接法正确时,G极输入高电平,MOS管开通,电路正常运行;输入反接时,G极输入电平低,MOS管封锁,DS无电流流过,且体二极管与电流输入方向相反,MOS管断路,从而保护后级电路。这种保护电路的优点在于MOS管内阻是毫欧级别,饱和压降损耗较小,因此受干扰的影响较小,稳定性较高。在低压电路中防范效果极佳。然而,由于不同型号的NMOS管规格不同,需要针对具体型号进行测试和调整。例如,如果输入电压较高时需要适当更改G极串并联电阻阻值或者在GS间并入稳压二极管以保护MOS管,VDS应当满足最高反向电压的电压要求,否则体二极管可能被击穿。尤其大电流时要考虑MOS管的耐流特性以及散热问题。PMOS类似。

防反接保护电路的应用方案(下)_https://www.lutefuse.com_技术中心_第2张

而根据客户产品的使用环境与性能需求来说,灵活的使用最为合适的电路保护方案更为重要。例如在保险丝和二极管防反接保护方案中,使用肖特基二极管相较于普通二极管来说,肖特基二极管的耐压更低,反向漏电流相对更大,但恢复速度快,适用于高频整流场合。而保险丝作为熔断方式的电路次级保护元件,会在反接保护后烧坏,需要更换。所以实际使用时可以考虑选用合适规格与电气特性的自恢复保险丝,减少维护成本。

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